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アルミニウム薄膜の製造方法

国内特許コード	P120007522
整理番号	S2010-1110
掲載日	2012年5月14日
出願番号	特願2011-189748
公開番号	特開2012-072495
登録番号	特許第5692726号
出願日	平成23年8月31日(2011.8.31)
公開日	平成24年4月12日(2012.4.12)
登録日	平成27年2月13日(2015.2.13)
優先権データ	特願2010-194908 (2010.8.31) JP
発明者	肥後盛秀満塩勝
出願人	国立大学法人　鹿児島大学
発明の名称	アルミニウム薄膜の製造方法
発明の概要	【課題】真空蒸着によるドライな条件で、化学薬品を使用することなく、廃棄物の排出を抑えながら極めて大きな比表面積を有するアルミニウム薄膜を実現する。【解決手段】高真空中で、蒸着温度４６０℃以上５２０℃以下、蒸着速度０．５ｎｍ／ｓ以上１０．０ｎｍ／ｓ以下の成膜条件で、アルミニウム基板上に蒸着法によりアルミニウムを成膜し、直径が０．７μｍ以上１．５μｍ以下であって先端尖状の柱状とされた複数の各々孤立したアルミニウム粒子から構成され、前記各アルミニウム粒子間には貫通した空隙が形成されており、凹凸状の表面を有するアルミニウム薄膜を形成する。【選択図】図１８
従来技術、競合技術の概要	電解コンデンサに用いられる電極は、いわゆる溶液法により、アルミニウム薄膜の電気的なエッチングを用い、大量の電気及び化学薬品を使用して、廃棄物を排出しながら製造されている。現在、この溶液法によるアルミニウム薄膜の表面積の増加率は限界に達しており、新しい製造方法による表面積の更なる拡大が望まれている。真空蒸着法を用いたアルミニウム薄膜の製造方法が特許文献１に開示されている。この技術では、分圧２×１０^-3Torr～５×１０^-3Torrの窒素と分圧２×１０^-4Torr～５×１０^-4Torrの酸素との混合雰囲気中、蒸着速度約３００オングストローム／ｓで温度３００℃のアルミニウム箔上にアルミニウムを蒸着する。これにより、カリフラワー状の表面構造を有するアルミニウム薄膜が形成される。
産業上の利用分野	本発明は、アルミニウム薄膜の製造方法に関する。
特許請求の範囲	【請求項1】アルミニウム基板上に真空蒸着法によりアルミニウム薄膜を形成する方法であって、１．４×１０^-6Torr以上３．１×１０^-6Torr以下の真空度で、蒸着温度を４６０℃以上５２０℃以下とするとともに、蒸着速度を０．５ｎｍ／ｓ以上１０．０ｎｍ／ｓ以下として、前記アルミニウム薄膜を形成することを特徴とするアルミニウム薄膜の製造方法。
国際特許分類(IPC)	C23C 14/24 真空蒸着 C23C 14/14 金属質材料，ほう素またはけい素 H01G 9/055 エッチングした箔電極
Fターム	4K029AA02 金属質材 4K029AA24 板 4K029BA03 Ａｌ 4K029BC03 導電性 4K029CA01 真空蒸着 4K029DB03 単体金属 4K029DB18 抵抗加熱 4K029EA02 蒸発速度、スパッタ速度 4K029EA03 ガス圧、真空度 4K029EA08 基板温度
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出願権利状態	登録

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発明の名称	ALUMINUM THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ELECTROLYTIC CAPACITOR, CATALYTIC METAL FILM, AND SEPARATION ELEMENT
発明の概要	PROBLEM TO BE SOLVED: To produce an aluminum thin film having an extremely large specific surface area under a dry condition by vacuum vapor deposition, without using chemicals, while restraining discharge of waste materials. SOLUTION: The aluminum thin film is formed by depositing an aluminum film on an aluminum substrate in high vacuum under such conditions that the vapor deposition temperature is 460-520°C and the vapor deposition rate is 0.5-10.0 nm/s, by a vapor deposition method. The aluminum thin film is constituted of a plurality of isolated aluminum particles each having a columnar shape with a sharpened tip and a diameter of 0.7-1.5 μm, wherein a penetrated void is formed between respective aluminum particles, and has an uneven surface.

発明の名称

ALUMINUM THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ELECTROLYTIC CAPACITOR, CATALYTIC METAL FILM, AND SEPARATION ELEMENT

発明の概要

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce an aluminum thin film having an extremely large specific surface area under a dry condition by vacuum vapor deposition, without using chemicals, while restraining discharge of waste materials.
SOLUTION: The aluminum thin film is formed by depositing an aluminum film on an aluminum substrate in high vacuum under such conditions that the vapor deposition temperature is 460-520°C and the vapor deposition rate is 0.5-10.0 nm/s, by a vapor deposition method. The aluminum thin film is constituted of a plurality of isolated aluminum particles each having a columnar shape with a sharpened tip and a diameter of 0.7-1.5 μm, wherein a penetrated void is formed between respective aluminum particles, and has an uneven surface.

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