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半導体装置及びその製造方法

国内特許コード	P07A010698
掲載日	2007年10月4日
出願番号	特願2006-044370
公開番号	特開2006-270074
登録番号	特許第5167478号
出願日	平成18年2月21日(2006.2.21)
公開日	平成18年10月5日(2006.10.5)
登録日	平成25年1月11日(2013.1.11)
優先権データ	特願2005-046087 (2005.2.22) JP
発明者	立野洋人
出願人	国立大学法人　鹿児島大学
発明の名称	半導体装置及びその製造方法
発明の概要	【課題】高い耐熱性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Ｂイオンがドーピングされたｐ型のＳｉ基板１の表面の２箇所にｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃを形成する。エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ⁺及びＨｅ⁺を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。この結果、Ｓｉ基板１の格子原子が蹴り出され、空格子が生じ、Ｓｉ基板１の表面から比較的深い位置までダングリングボンドが生成される。これらのダングリングボンドが生成された領域がｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃとなる。【選択図】図１Ａ
従来技術、競合技術の概要	トランジスタを構成するＰ型半導体、Ｎ型半導体は、主に夫々ＩＶ族元素にＩＩＩ価イオン、Ｖ価イオンをドープすることにより生成されている。そして、このようなトランジスタが集積回路（ＩＣ）等に使用されている。しかしながら、ＩＣではインプラントイオンの数が少なく、また、シリコンウェハ上に機能素子がローカルノードとして点在するため、インプラントイオンが容易に拡散しやすい。このため、十分な耐熱性及び高集積性を得ることが困難である。【非特許文献１】 D. Long: Energy Bands in Semiconductors, Interscience, New York, 1968
産業上の利用分野	本発明は、ダイオード等に好適な半導体装置及びその製造方法に関する。
特許請求の範囲	【請求項1】ｐ型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域と隣接し、ダングリングボンドを電子の供給源とするｎ型の第２の半導体領域と、を有し、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする半導体装置。【請求項2】前記第１の半導体領域は、シリコン又は炭化珪素にｐ型の不純物を導入して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。【請求項3】前記第２の半導体領域との間で前記第１の半導体領域を挟み込むｎ型の第３の半導体領域を有し、前記第３の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。【請求項4】前記第２の半導体領域は、ｐ型のシリコン又は炭化珪素への希ガス元素イオンの打ち込みにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。【請求項5】ｐ型の第１の半導体領域内にダングリングボンドを発生させて、前記ダングリングボンドを電子の供給源とするｎ型の第２の半導体領域を形成する工程を有し、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。【請求項6】前記第２の半導体領域の形成と並行して、前記第２の半導体領域との間で前記第１の半導体領域を挟み込むｎ型の第３の半導体領域を形成し、前記第３の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。【請求項7】前記ダングリングボンドを発生させる際に、前記第１の半導体領域に対して希ガス元素イオンを打ち込むことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
国際特許分類(IPC)	H01L 21/331 トランジスタ H01L 29/732 縦型トランジスタ
Fターム	5F003AP08 温度特性改善 5F003BH05 電極材料に特徴のあるもの 5F003BN01 ラテラルトランジスタ 5F003BP23 ド－ピング物質に特徴のあるもの 5F003BZ01 ダイオ－ド
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出願権利状態	登録

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発明の名称	SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
発明の概要	PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device achieving high thermal resistance and a method of manufacturing it. SOLUTION: An n-type emitter region 2e and a collector region 2c are formed on two points on a surface of a p-type Si substrate 1 doped with B ions. When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar⁺ and He⁺, which are rare gas element ions, for about two hours. As a result, the lattice atoms of the Si substrate 1 are knocked out, lattice vacancies occur, and dangling bonds are generated from the surface of the Si substrate 1 to a relatively deep position. Regions where the dangling bonds are generated serve as the n-type emitter region 2e and collector region 2c.

発明の名称

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 外国出願あり

発明の概要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device achieving high thermal resistance and a method of manufacturing it.
SOLUTION: An n-type emitter region 2e and a collector region 2c are formed on two points on a surface of a p-type Si substrate 1 doped with B ions. When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar⁺ and He⁺, which are rare gas element ions, for about two hours. As a result, the lattice atoms of the Si substrate 1 are knocked out, lattice vacancies occur, and dangling bonds are generated from the surface of the Si substrate 1 to a relatively deep position. Regions where the dangling bonds are generated serve as the n-type emitter region 2e and collector region 2c.

※ 公開特許は弊社ホームページ内で開示資料とともに、特許公報も掲載しております。
アドレスは　http://www.ktlo.co.jp/002_seeds_.html