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原子レベルで平坦な金薄膜作製法 新技術説明会

国内特許コード P07A010662
掲載日 2007年10月4日
出願番号 特願2002-313636
公開番号 特開2004-149818
登録番号 特許第4195928号
出願日 平成14年10月29日(2002.10.29)
公開日 平成16年5月27日(2004.5.27)
登録日 平成20年10月10日(2008.10.10)
発明者
  • 肥後 盛秀
出願人
  • 国立大学法人　鹿児島大学
発明の名称 原子レベルで平坦な金薄膜作製法 新技術説明会
発明の概要 【課題】本発明は、操作の簡単な真空蒸着法を用いて、雲母基板上に原子レベルで平坦な金薄膜を作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空蒸着法において、雲母基板の前処理方法および蒸着の際の真空度、蒸着温度、蒸着速度、膜厚等の条件を検討することにより、上記課題を解決した。すなわち、空気中で表面を劈開した８ｍｍ×１２ｍｍの雲母基板を１～８×１０－６Ｔｏｒｒの高真空中において５５０℃で２時間加熱処理した後、その雲母基板を１～３×１０－６Ｔｏｒｒにおいて４７３℃に保ち、蒸着速度２．０ｎｍ／ｓで膜厚１５０ｎｍの金薄膜を蒸着し、作製した金薄膜が１００℃よりも低い温度になるまで１～３×１０－６Ｔｏｒｒの高真空中で放冷し完成させる方法である。
【選択図】 図２
従来技術、競合技術の概要


特開平６－２００３７６号（以下先行技術１という）に表面が平坦な金薄膜を気相成長する方法があり、「原料ガスとしてジメチルゴールドヘキサフロロアセチルアセトネートを用い、熱ＣＶＤを利用し特殊条件下で気相成長を行う。あるいは熱ＣＶＤの代わりにプラズマＣＶＤを利用する。更に、プラズマＣＶＤ／熱ＣＶＤの組合せにより２層膜とし密着性等の向上を図る。また、原料ガスを予備加熱し、予め中間生成物を形成しこの中間生成物を高真空状態に載置された基板に噴出して基板上に金薄膜を形成するように構成する。」という記載がある。



学術論文Ｌａｎｇｍｕｉｒ、１３巻、２３号、６１７６～６１８２ページ、１９９７年（以下先行技術２という）に、高温（２５０～３５０℃）の雲母基板上にアルミニウムを真空蒸着して原子レベルで平坦な薄膜を作製する方法が記載されている。
産業上の利用分野


本発明は、平坦な表面を持つ金薄膜の作製方法に関する。より詳しくは、前処理した雲母基板上に金を真空蒸着し、原子レベルで平坦な金薄膜を作製する方法に関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】 高真空中で５００～６００℃の加熱による前処理を行った雲母基板上に、高真空中、蒸着温度４７０～４７６℃、蒸着速度１．８～２．２ｎｍ／ｓ、膜厚１３０～１７０ｎｍの条件で真空蒸着法により、原子レベルで平坦な表面を持つ金薄膜を作製することを特徴とする膜形成方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2002313636thum.jpg
出願権利状態 登録

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発明の名称 METHOD FOR PREPARING THIN GOLD FILM FLAT AT ATOMIC LEVEL 新技術説明会
発明の概要 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for preparing a thin gold film flat at the atomic level on a mica substrate by a vacuum deposition method with a simple operation.
SOLUTION: The problem is solved by investigating the pretreatment method for a mica substrate and the conditions such as degree of vacuum, vapor deposition temperature, vapor deposition rate, and film thickness in the vacuum deposition method. The thin gold film is formed by the following operations: an 8 mm×12 mm mica substrate with its surface cleaved in the air is heat treated in a vacuum of 1-8×10-6 Torr at 550°C for 2 hr and then kept at 473°C in a vacuum of 1-3×10-6 Torr; and a thin gold film with a thickness of 150 nm is vapor deposited at a vapor deposition rate of 2.0 nm/s and then cooled in a vacuum of 1-3×10-6 Torr to lower than 100°C.
※ 公開特許は弊社ホームページ内で開示資料とともに、特許公報も掲載しております。
アドレスは　http://www.ktlo.co.jp/002_seeds_.html

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  • 株式会社鹿児島ＴＬＯ 技術移転事業部
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明細書 特許第4195928号
公開公報 特開2004-149818(PDF,1709KB) PDF
特許公報 特許第4195928号(PDF,1530KB) PDF

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